STU16N65M2
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STU16N65M2 เราสามารถจัดหา STU16N65M2 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STU16N65M2 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STU16N65M2 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±25V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- IPAK (TO-251)
- ชุด
- MDmesh™ M2
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 360 mOhm @ 5.5A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 110W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- ชื่ออื่น
- 497-15248-5
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 718pF @ 100V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 19.5nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 650V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 11A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STU16N65M2
- แผ่นข้อมูล STU16N65M2
- แผ่นข้อมูล STU16N65M2
- แผ่นข้อมูล PDF STU16N65M2
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STU16N65M2
- ภาพ STU16N65M2
- ส่วน STU16N65M2
- ST STU16N65M2
- STMicroelectronics STU16N65M2