STY60NM60
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STY60NM60 เราสามารถจัดหา STY60NM60 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STY60NM60 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STY60NM60 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±30V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- MAX247™
- ชุด
- MDmesh™
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 55 mOhm @ 30A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 560W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-247-3
- ชื่ออื่น
- 497-3268-5
- อุณหภูมิในการทำงาน
- 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 42 Weeks
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 7300pF @ 25V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 266nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 600V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 600V 60A (Tc) 560W (Tc) Through Hole MAX247™
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 60A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STY60NM60
- แผ่นข้อมูล STY60NM60
- แผ่นข้อมูล STY60NM60
- แผ่นข้อมูล PDF STY60NM60
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STY60NM60
- ภาพ STY60NM60
- ส่วน STY60NM60
- ST STY60NM60
- STMicroelectronics STY60NM60