M29DW323DB70ZE6E
Micron Technology
IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี M29DW323DB70ZE6E เราสามารถจัดหา M29DW323DB70ZE6E ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา M29DW323DB70ZE6E และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # M29DW323DB70ZE6E รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า
- 70ns
- แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน
- 2.7 V ~ 3.6 V
- เทคโนโลยี
- FLASH - NOR
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- 48-TFBGA (6x8)
- ชุด
- -
- บรรจุภัณฑ์
- Tray
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- 48-TFBGA
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -40°C ~ 85°C (TA)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 3 (168 Hours)
- ประเภทหน่วยความจำ
- Non-Volatile
- ขนาดหน่วยความจำ
- 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
- อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ
- Parallel
- รูปแบบหน่วยความจำ
- FLASH
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- คำอธิบายโดยละเอียด
- FLASH - NOR Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 70ns 48-TFBGA (6x8)
- หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
- M29DW323
- เวลาในการเข้าถึง
- 70ns
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
M29DW323DB-90N6- M29DW323DT-70ZE6E
- M29DW323DB-70N6E
- M29DW323DT70ZE6
- M29DW323DT-70ZE6
M29DW323DB70N6- M29DW323DB70N6F
- M29DW323DT70N6E
- M29DW323DT-70ZE6 H
- M29DW323DT-70N6
- M29DW323DB70N6E IC
M29DW323DT- M29DW323BD70ZE6E
- M29DW323DT70N6H
- M29DW323DT70N6
- M29DW323DB70N6E
- M29DW323DB70N6 IC
- M29DW323DB-70N6
- M29DW323DT70ZE6E
- M29DW256G7ANF6F
- Micron Technology M29DW323DB70ZE6E
- แผ่นข้อมูล M29DW323DB70ZE6E
- แผ่นข้อมูล M29DW323DB70ZE6E
- แผ่นข้อมูล PDF M29DW323DB70ZE6E
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M29DW323DB70ZE6E
- ภาพ M29DW323DB70ZE6E
- ส่วน M29DW323DB70ZE6E
- Micron M29DW323DB70ZE6E
- Micron Technology M29DW323DB70ZE6E
- Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6E