บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - เดี่ยว > MJD122T4
MJD122T4
STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี MJD122T4 เราสามารถจัดหา MJD122T4 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา MJD122T4 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # MJD122T4 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)
- 100V
- VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic
- 4V @ 80mA, 8A
- ประเภททรานซิสเตอร์
- NPN - Darlington
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- DPAK
- ชุด
- -
- เพาเวอร์ - แม็กซ์
- 20W
- บรรจุภัณฑ์
- Tape & Reel (TR)
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- ชื่ออื่น
- 497-2469-2
- อุณหภูมิในการทำงาน
- 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- ความถี่ - การเปลี่ยน
- -
- คำอธิบายโดยละเอียด
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Surface Mount DPAK
- DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE
- 1000 @ 4A, 4V
- ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)
- 10µA
- ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)
- 8A
- หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
- MJD122
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics MJD122T4
- แผ่นข้อมูล MJD122T4
- แผ่นข้อมูล MJD122T4
- แผ่นข้อมูล PDF MJD122T4
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MJD122T4
- ภาพ MJD122T4
- ส่วน MJD122T4
- ST MJD122T4
- STMicroelectronics MJD122T4