ภาษาไทย

เลือกภาษา

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

หมวดหมู่

  1. วงจรรวม

    วงจรรวม

  2. Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์

    Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์

  3. ตัวเก็บประจุ
  4. RF / IF และ RFID

    RF / IF และ RFID

  5. ตัวต้านทาน
  6. เซ็นเซอร์ Transducers

    เซ็นเซอร์ Transducers

  7. รีเลย์
  8. แหล่งจ่ายไฟ - บอร์ดเมาท์
  9. Isolators
  10. ตัวนำกระแสไฟฟ้า, คอยล์, โช้ค
  11. ขั้วต่อ, อินเตอร์คอนเนค

    ขั้วต่อ, อินเตอร์คอนเนค

  12. การป้องกันวงจร
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT41F100J
APT41F100J
Microsemi

APT41F100J

Microsemi
MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง

มี APT41F100J เราสามารถจัดหา APT41F100J ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา APT41F100J และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # APT41F100J รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ


ขอใบเสนอราคา

  • หมายเลขชิ้นส่วน:
  • จำนวน:
  • ราคาเป้าหมาย:(USD)
  • ชื่อผู้ติดต่อ:
  • อีเมลของคุณ:
  • โทรศัพท์ของคุณ:
  • หมายเหตุ:

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
5V @ 5mA
Vgs (สูงสุด)
±30V
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
ISOTOP®
ชุด
-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 33A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
960W (Tc)
บรรจุภัณฑ์
Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
SOT-227-4, miniBLOC
ชื่ออื่น
APT41F100JMI
APT41F100JMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
21 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
18500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
570nC @ 10V
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
1000V
คำอธิบายโดยละเอียด
N-Channel 1000V 42A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
42A (Tc)

ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน