HS1M R3G
TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี HS1M R3G เราสามารถจัดหา HS1M R3G ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา HS1M R3G และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # HS1M R3G รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก
- 1.7V @ 1A
- แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)
- 1000V
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- DO-214AC (SMA)
- ความเร็ว
- Fast Recovery = 200mA (Io)
- ชุด
- -
- ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)
- 75ns
- บรรจุภัณฑ์
- Original-Reel®
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- DO-214AC, SMA
- ชื่ออื่น
- HS1M R3GDKR
HS1M R3GDKR-ND
HS1MR3GDKR
- อุณหภูมิในการทำงาน - Junction
- -55°C ~ 150°C
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 17 Weeks
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- ประเภทไดโอด
- Standard
- คำอธิบายโดยละเอียด
- Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
- ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr
- 5µA @ 1000V
- ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)
- 1A
- การประจุกระแสไฟ @ Vr, F
- 20pF @ 4V, 1MHz
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- TSC (Taiwan Semiconductor) HS1M R3G
- แผ่นข้อมูล HS1M R3G
- แผ่นข้อมูล HS1M R3G
- แผ่นข้อมูล PDF HS1M R3G
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HS1M R3G
- ภาพ HS1M R3G
- ส่วน HS1M R3G
- Taiwan Semiconductor HS1M R3G
- TSC HS1M R3G
- TSC (Taiwan Semiconductor) HS1M R3G