IXDI502SIAT/R
IXYS Corporation
IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี IXDI502SIAT/R เราสามารถจัดหา IXDI502SIAT/R ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา IXDI502SIAT/R และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # IXDI502SIAT/R รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน
- 4.5 V ~ 30 V
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- 8-SOIC
- ชุด
- -
- เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท)
- 7.5ns, 6.5ns
- บรรจุภัณฑ์
- Cut Tape (CT)
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- ชื่ออื่น
- IXDI502SIACT
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ความถี่ขาเข้า
- 2
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 3 (168 Hours)
- แรงดันลอจิก - VIL, VIH
- 0.8V, 3V
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- ประเภทขาเข้า
- Inverting
- ประเภทประตู
- IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน
- Low-Side
- คำอธิบายโดยละเอียด
- Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
- ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink)
- 2A, 2A
- Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด)
- Independent
- หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
- IXD*502
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- IXYS Corporation IXDI502SIAT/R
- แผ่นข้อมูล IXDI502SIAT/R
- แผ่นข้อมูล IXDI502SIAT/R
- แผ่นข้อมูล PDF IXDI502SIAT/R
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IXDI502SIAT/R
- ภาพ IXDI502SIAT/R
- ส่วน IXDI502SIAT/R
- IXYS IXDI502SIAT/R
- IXYS Corporation IXDI502SIAT/R
- IXYS / Littelfuse IXDI502SIAT/R
- Littelfuse / IXYS IXDI502SIAT/R
- Littelfuse / IXYS Integrated Circuits Division IXDI502SIAT/R
- Littelfuse / IXYS RF IXDI502SIAT/R