บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - เดี่ยว > ESM3030DV
ESM3030DV
STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี ESM3030DV เราสามารถจัดหา ESM3030DV ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา ESM3030DV และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # ESM3030DV รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)
- 300V
- VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic
- 1.5V @ 2.4A, 85A
- ประเภททรานซิสเตอร์
- NPN - Darlington
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- ISOTOP®
- ชุด
- -
- เพาเวอร์ - แม็กซ์
- 225W
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- SOT-227-4, miniBLOC
- ชื่ออื่น
- 497-6691-5
ESM3030DV-ND
- อุณหภูมิในการทำงาน
- 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Chassis Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- ความถี่ - การเปลี่ยน
- -
- คำอธิบายโดยละเอียด
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 300V 100A 225W Chassis Mount ISOTOP®
- DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE
- 300 @ 85A, 5V
- ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)
- -
- ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)
- 100A
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics ESM3030DV
- แผ่นข้อมูล ESM3030DV
- แผ่นข้อมูล ESM3030DV
- แผ่นข้อมูล PDF ESM3030DV
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ESM3030DV
- ภาพ ESM3030DV
- ส่วน ESM3030DV
- ST ESM3030DV
- STMicroelectronics ESM3030DV