บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - เดี่ยว > BU508AF
BU508AF
STMicroelectronics
TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี BU508AF เราสามารถจัดหา BU508AF ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา BU508AF และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # BU508AF รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)
- 700V
- VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic
- 1V @ 1.6A, 4.5A
- ประเภททรานซิสเตอร์
- NPN
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- ISOWATT-218FX
- ชุด
- -
- เพาเวอร์ - แม็กซ์
- 50W
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- ISOWATT218FX
- ชื่ออื่น
- 497-8748-5
- อุณหภูมิในการทำงาน
- 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 38 Weeks
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- ความถี่ - การเปลี่ยน
- -
- คำอธิบายโดยละเอียด
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 8A 50W Through Hole ISOWATT-218FX
- DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE
- 10 @ 100mA, 5V
- ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)
- 200µA
- ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)
- 8A
- หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
- BU508
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics BU508AF
- แผ่นข้อมูล BU508AF
- แผ่นข้อมูล BU508AF
- แผ่นข้อมูล PDF BU508AF
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BU508AF
- ภาพ BU508AF
- ส่วน BU508AF
- ST BU508AF
- STMicroelectronics BU508AF