ภาษาไทย

เลือกภาษา

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

หมวดหมู่

  1. วงจรรวม

    วงจรรวม

  2. Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์

    Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์

  3. ตัวเก็บประจุ
  4. RF / IF และ RFID

    RF / IF และ RFID

  5. ตัวต้านทาน
  6. เซ็นเซอร์ Transducers

    เซ็นเซอร์ Transducers

  7. รีเลย์
  8. แหล่งจ่ายไฟ - บอร์ดเมาท์
  9. Isolators
  10. ตัวนำกระแสไฟฟ้า, คอยล์, โช้ค
  11. ขั้วต่อ, อินเตอร์คอนเนค

    ขั้วต่อ, อินเตอร์คอนเนค

  12. การป้องกันวงจร
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > วงจรรวม > Atosn STCOK > APT12057B2LLG
APT12057B2LLG
Microsemi

APT12057B2LLG

Microsemi

ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง

มี APT12057B2LLG เราสามารถจัดหา APT12057B2LLG ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา APT12057B2LLG และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # APT12057B2LLG รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ


ขอใบเสนอราคา

  • หมายเลขชิ้นส่วน:
  • จำนวน:
  • ราคาเป้าหมาย:(USD)
  • ชื่อผู้ติดต่อ:
  • อีเมลของคุณ:
  • โทรศัพท์ของคุณ:
  • หมายเหตุ:

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด)
±30V
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
T-MAX™ [B2]
ชุด
POWER MOS 7®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 11A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
690W (Tc)
บรรจุภัณฑ์
Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
24 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
6200pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
290nC @ 10V
ประเภท FET
N-Channel
คุณสมบัติ FET
-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
1200V
คำอธิบายโดยละเอียด
N-Channel 1200V 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
22A (Tc)

ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน