APT18M80B
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี APT18M80B เราสามารถจัดหา APT18M80B ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา APT18M80B และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # APT18M80B รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 5V @ 1mA
- Vgs (สูงสุด)
- ±30V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- TO-247 [B]
- ชุด
- POWER MOS 8™
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 530 mOhm @ 9A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 500W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-247-3
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 8 Weeks
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 3760pF @ 25V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 120nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 800V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 19A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- Microsemi APT18M80B
- แผ่นข้อมูล APT18M80B
- แผ่นข้อมูล APT18M80B
- แผ่นข้อมูล PDF APT18M80B
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT18M80B
- ภาพ APT18M80B
- ส่วน APT18M80B
- Microsemi APT18M80B
- Microsemi Analog Mixed Signal Group APT18M80B
- Microsemi Analog Mixed Signal Group [MIL] APT18M80B
- Microsemi Commercial Components Group APT18M80B
- Microsemi Consumer Medical Product Group APT18M80B
- Microsemi Corporation APT18M80B
- Microsemi HI-REL [MIL] APT18M80B
- Microsemi Power Management Group APT18M80B
- Microsemi Power Products Group APT18M80B
- Microsemi SoC APT18M80B
- Microsemi Solutions Sdn Bhd. APT18M80B