บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ-1
STMicroelectronics
IGBT 1200V 10A 75W IPAK
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STGD5NB120SZ-1 เราสามารถจัดหา STGD5NB120SZ-1 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STGD5NB120SZ-1 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STGD5NB120SZ-1 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)
- 1200V
- VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี
- 2V @ 15V, 5A
- ทดสอบสภาพ
- 960V, 5A, 1 kOhm, 15V
- Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C
- 690ns/12.1µs
- การสลับพลังงาน
- 2.59mJ (on), 9mJ (off)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- I-PAK
- ชุด
- PowerMESH™
- เพาเวอร์ - แม็กซ์
- 75W
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- ชื่ออื่น
- 497-16445
STGD5NB120SZ-1-ND
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 28 Weeks
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- ประเภทขาเข้า
- Standard
- ประเภท IGBT
- -
- คำอธิบายโดยละเอียด
- IGBT 1200V 10A 75W Through Hole I-PAK
- ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM)
- 10A
- ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)
- 10A
- หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
- STG*5NB
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STGD5NB120SZ-1
- แผ่นข้อมูล STGD5NB120SZ-1
- แผ่นข้อมูล STGD5NB120SZ-1
- แผ่นข้อมูล PDF STGD5NB120SZ-1
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STGD5NB120SZ-1
- ภาพ STGD5NB120SZ-1
- ส่วน STGD5NB120SZ-1
- ST STGD5NB120SZ-1
- STMicroelectronics STGD5NB120SZ-1