CSD13202Q2
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี CSD13202Q2 เราสามารถจัดหา CSD13202Q2 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา CSD13202Q2 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # CSD13202Q2 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 1.1V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±8V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- 6-WSON (2x2)
- ชุด
- NexFET™
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 2.7W (Ta)
- บรรจุภัณฑ์
- Cut Tape (CT)
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- 6-VDFN Exposed Pad
- ชื่ออื่น
- 296-38911-1
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 997pF @ 6V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 6.6nC @ 4.5V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 12V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 12V 22A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 22A (Ta)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- CSD13202Q2
- แผ่นข้อมูล CSD13202Q2
- แผ่นข้อมูล CSD13202Q2
- แผ่นข้อมูล PDF CSD13202Q2
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CSD13202Q2
- ภาพ CSD13202Q2
- ส่วน CSD13202Q2