CSD19532KTT
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี CSD19532KTT เราสามารถจัดหา CSD19532KTT ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา CSD19532KTT และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # CSD19532KTT รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ
- 5060pF @ 50V
- แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย
- DDPAK/TO-263-3
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 5.6 mOhm @ 90A, 10V
- Vgs (สูงสุด)
- 6V, 10V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ชุด
- NexFET™
- สถานะ RoHS
- Cut Tape (CT)
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 200A (Ta)
- โพลาไรซ์
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- ชื่ออื่น
- 296-44970-1
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 2 (1 Year)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 13 Weeks
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
- CSD19532KTT
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 57nC @ 10V
- ประเภท IGBT
- ±20V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 3.2V @ 250µA
- คุณสมบัติ FET
- N-Channel
- ขยายคำอธิบาย
- N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- -
- ลักษณะ
- MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 100V
- อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ
- 250W (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- CSD19532KTT
- แผ่นข้อมูล CSD19532KTT
- แผ่นข้อมูล CSD19532KTT
- แผ่นข้อมูล PDF CSD19532KTT
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CSD19532KTT
- ภาพ CSD19532KTT
- ส่วน CSD19532KTT