DMN2016UTS-13
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี DMN2016UTS-13 เราสามารถจัดหา DMN2016UTS-13 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา DMN2016UTS-13 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # DMN2016UTS-13 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 1V @ 250µA
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- 8-TSSOP
- ชุด
- -
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
- เพาเวอร์ - แม็กซ์
- 880mW
- บรรจุภัณฑ์
- Cut Tape (CT)
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- ชื่ออื่น
- DMN2016UTS-13DICT
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน
- 32 Weeks
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 1495pF @ 10V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 16.5nC @ 4.5V
- ประเภท FET
- 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- คุณสมบัติ FET
- Logic Level Gate
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 20V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 8.58A
- หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
- DMN2016U
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- Diodes Incorporated DMN2016UTS-13
- แผ่นข้อมูล DMN2016UTS-13
- แผ่นข้อมูล DMN2016UTS-13
- แผ่นข้อมูล PDF DMN2016UTS-13
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล DMN2016UTS-13
- ภาพ DMN2016UTS-13
- ส่วน DMN2016UTS-13
- Diodes DMN2016UTS-13
- Diodes Inc DMN2016UTS-13
- Diodes Incorporated DMN2016UTS-13
- Pericom Semiconductor DMN2016UTS-13
- Zetex Semiconductors (Diodes Incorporated) DMN2016UTS-13