JS28F512M29EWLD
Micron Technology
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี JS28F512M29EWLD เราสามารถจัดหา JS28F512M29EWLD ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา JS28F512M29EWLD และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # JS28F512M29EWLD รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า
- 110ns
- แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน
- 2.7 V ~ 3.6 V
- เทคโนโลยี
- FLASH - NOR
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- 56-TSOP (14x20)
- ชุด
- -
- บรรจุภัณฑ์
- Tray
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -40°C ~ 85°C (TA)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 3 (168 Hours)
- ประเภทหน่วยความจำ
- Non-Volatile
- ขนาดหน่วยความจำ
- 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
- อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ
- Parallel
- รูปแบบหน่วยความจำ
- FLASH
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- คำอธิบายโดยละเอียด
- FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns 56-TSOP (14x20)
- เวลาในการเข้าถึง
- 110ns
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- Micron Technology JS28F512M29EWLD
- แผ่นข้อมูล JS28F512M29EWLD
- แผ่นข้อมูล JS28F512M29EWLD
- แผ่นข้อมูล PDF JS28F512M29EWLD
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล JS28F512M29EWLD
- ภาพ JS28F512M29EWLD
- ส่วน JS28F512M29EWLD
- Micron JS28F512M29EWLD
- Micron Technology JS28F512M29EWLD
- Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLD