SCT20N120
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี SCT20N120 เราสามารถจัดหา SCT20N120 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา SCT20N120 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # SCT20N120 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 3.5V @ 1mA
- Vgs (สูงสุด)
- +25V, -10V
- เทคโนโลยี
- SiCFET (Silicon Carbide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- HiP247™
- ชุด
- -
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 290 mOhm @ 10A, 20V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 175W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-247-3
- ชื่ออื่น
- 497-15170
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 650pF @ 400V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 45nC @ 20V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 20V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 1200V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 20A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics SCT20N120
- แผ่นข้อมูล SCT20N120
- แผ่นข้อมูล SCT20N120
- แผ่นข้อมูล PDF SCT20N120
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCT20N120
- ภาพ SCT20N120
- ส่วน SCT20N120
- ST SCT20N120
- STMicroelectronics SCT20N120