STB11NM60N-1
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STB11NM60N-1 เราสามารถจัดหา STB11NM60N-1 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STB11NM60N-1 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STB11NM60N-1 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±25V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- I2PAK
- ชุด
- MDmesh™ II
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 450 mOhm @ 5A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 90W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- อุณหภูมิในการทำงาน
- 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 850pF @ 50V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 31nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 600V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 10A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STB11NM60N-1
- แผ่นข้อมูล STB11NM60N-1
- แผ่นข้อมูล STB11NM60N-1
- แผ่นข้อมูล PDF STB11NM60N-1
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STB11NM60N-1
- ภาพ STB11NM60N-1
- ส่วน STB11NM60N-1
- ST STB11NM60N-1
- STMicroelectronics STB11NM60N-1