บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > STB75NH02LT4
STB75NH02LT4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STB75NH02LT4 เราสามารถจัดหา STB75NH02LT4 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STB75NH02LT4 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STB75NH02LT4 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 1.8V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±20V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- D2PAK
- ชุด
- STripFET™ III
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 8 mOhm @ 30A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 80W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tape & Reel (TR)
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- ชื่ออื่น
- 497-3515-2
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Surface Mount
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 2050pF @ 15V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 22nC @ 5V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 24V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 24V 60A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 60A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STB75NH02LT4
- แผ่นข้อมูล STB75NH02LT4
- แผ่นข้อมูล STB75NH02LT4
- แผ่นข้อมูล PDF STB75NH02LT4
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STB75NH02LT4
- ภาพ STB75NH02LT4
- ส่วน STB75NH02LT4
- ST STB75NH02LT4
- STMicroelectronics STB75NH02LT4