STFI10N65K3
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STFI10N65K3 เราสามารถจัดหา STFI10N65K3 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STFI10N65K3 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STFI10N65K3 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 4.5V @ 100µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±30V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- I2PAKFP (TO-281)
- ชุด
- SuperMESH3™
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 1 Ohm @ 3.6A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 35W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-262-3 Full Pack, I²Pak
- ชื่ออื่น
- 497-13578-5
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 1180pF @ 25V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 42nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 650V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 10A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STFI10N65K3
- แผ่นข้อมูล STFI10N65K3
- แผ่นข้อมูล STFI10N65K3
- แผ่นข้อมูล PDF STFI10N65K3
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STFI10N65K3
- ภาพ STFI10N65K3
- ส่วน STFI10N65K3
- ST STFI10N65K3
- STMicroelectronics STFI10N65K3