STI260N6F6
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STI260N6F6 เราสามารถจัดหา STI260N6F6 ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STI260N6F6 และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STI260N6F6 รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±20V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- I2PAK
- ชุด
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 3 mOhm @ 60A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 300W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- ชื่ออื่น
- 497-11329-5
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 11400pF @ 25V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 183nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 75V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 120A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STI260N6F6
- แผ่นข้อมูล STI260N6F6
- แผ่นข้อมูล STI260N6F6
- แผ่นข้อมูล PDF STI260N6F6
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STI260N6F6
- ภาพ STI260N6F6
- ส่วน STI260N6F6
- ST STI260N6F6
- STMicroelectronics STI260N6F6