STP11NM60A
ขอราคาและระยะเวลาในการจัดส่ง
มี STP11NM60A เราสามารถจัดหา STP11NM60A ใช้แบบฟอร์มขอใบเสนอราคาเพื่อขอราคา STP11NM60A และเวลานำAtosn.com ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพเรามีสินค้าคงคลังจำนวนมากและสามารถจัดส่งได้อย่างรวดเร็วติดต่อเราวันนี้และตัวแทนขายของเราจะให้ราคาและรายละเอียดการจัดส่งในส่วนที่ # STP11NM60A รวมปัญหาพิธีการศุลกากรเพื่อให้ตรงกับประเทศของคุณเรามีทีมขายมืออาชีพและทีมเทคนิคเราหวังว่าจะได้ร่วมงานกับคุณ
ขอใบเสนอราคา
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
- VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (สูงสุด)
- ±30V
- เทคโนโลยี
- MOSFET (Metal Oxide)
- ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ
- TO-220AB
- ชุด
- MDmesh™
- RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
- 450 mOhm @ 5.5A, 10V
- พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)
- 110W (Tc)
- บรรจุภัณฑ์
- Tube
- หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์
- TO-220-3
- ชื่ออื่น
- 497-4368-5
- อุณหภูมิในการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ประเภทการติดตั้ง
- Through Hole
- ระดับความไวของความชื้น (MSL)
- 1 (Unlimited)
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds
- 1211pF @ 25V
- ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
- 49nC @ 10V
- ประเภท FET
- N-Channel
- คุณสมบัติ FET
- -
- แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)
- 10V
- ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)
- 600V
- คำอธิบายโดยละเอียด
- N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
- ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส
- 11A (Tc)
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
- STMicroelectronics STP11NM60A
- แผ่นข้อมูล STP11NM60A
- แผ่นข้อมูล STP11NM60A
- แผ่นข้อมูล PDF STP11NM60A
- ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP11NM60A
- ภาพ STP11NM60A
- ส่วน STP11NM60A
- ST STP11NM60A
- STMicroelectronics STP11NM60A